BUZ311
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 针对5V驱动器应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数）
- 适用于消费级应用
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤