2N6763
N沟道,电流:31A,耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2N6763
- 商品编号
- C3276632
- 商品封装
- TO-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
-快速开关-低驱动电流-易于并联-出色的温度稳定性
应用领域
-开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路