FDP15N50F102
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能实现硅的最优利用,从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 50A,60V
- 漏源导通电阻rDS(ON) = 0.022 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器