BUK6209-30C
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
HEXFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。HEXFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 12 V汽车系统
- 启停微混合动力应用
- 电动和电液助力转向系统
- 变速器控制
- 电机、灯具和电磁阀控制
- 超高性能功率开关