PMCPB5530X
20V, 互补沟槽MOSFET
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCPB5530X
- 商品编号
- C3276933
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管(FET),封装于小巧无引脚的超薄DFN2020-6(SOT1118)表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
商品特性
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 小巧无引脚的超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
应用领域
- 便携式设备充电开关
- DC-DC转换器
- 小型无刷直流电机驱动
- 电池供电便携式设备的电源管理
- 硬盘和计算机电源管理