PMCPB5530X
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V,3.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
- N沟道增强型
- 依据失效目录，外观检查的可接收质量水平（AQL）为0.65
- 依据MIL-STD 883C标准，属于静电放电敏感器件
- 芯片键合：焊接或胶粘
- 背面金属化：镍钒（NiV）体系
- 正面金属化：铝铜（AlCu）体系
- 钝化处理：氮化物（仅在边缘结构）
- 功率MOS晶体管芯片