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IMBG65R083M1HXTMA1
碳化硅沟槽功率MOSFET，具备高性能、高可靠性和易用性，适用于高温和恶劣环境
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R083M1HXTMA1
- 商品编号
- C3276624
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 耗散功率(Pd) | 126W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 624pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 111mΩ |
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