2SK1427
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于超小型SOT363（TSSOP6）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路