PMV65XP1215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 744pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术、采用小型 SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 P 沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 低导通电阻
- 沟槽 MOSFET 技术
应用领域
- 低功耗 DC - DC 转换器
- 负载开关
- 电池管理
- 电池供电的便携式设备