HAT1035R-EL-E
P通道,电流:-0.25A,耐压:-150V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HAT1035R-EL-E
- 商品编号
- C3276551
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 92pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
2SK1960是一款N沟道垂直MOS场效应晶体管。由于它可以由低至1.5V的电压驱动，且无需考虑驱动电流，因此该场效应晶体管非常适合作为低电流便携式系统（如耳机立体声设备和摄像机）的执行器。
商品特性
- 栅极可由1.5V电压驱动
- 导通电阻低
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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