温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HAT2085T-EL-E

N通道MOSFET,电流:1.4A,耐压:200V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HAT2085T-EL-E
商品编号: C3276554
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ E6 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新成果。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且低温。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
通过 JEDEC 认证，无铅镀层，无卤素

应用领域

标准:计算机;办公设备;通信设备;测试测量设备;视听设备;家用电器;机床;个人电子设备;以及工业机器人。
高品质:运输设备(汽车、火车、轮船等);交通控制系统;防灾系统;防犯罪系统;安全设备;以及非专门用于生命维持的医疗设备。

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	1.4A
	导通电阻(RDS(on))	640mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	1.3W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	10nC@10V
	输入电容(Ciss)	300pF
	反向传输电容(Crss)	12pF
	工作温度	-
	类型	N沟道