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BSZ105N04NSG
N沟道,电流:40A,耐压:40V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ105N04NSG
- 商品编号
- C3276578
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@14uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品概述
D²PAK封装能够容纳比任何现有表面贴装封装更大的芯片，这使其可用于需要使用具有更高功率和更低RDS(on)能力的表面贴装元件的应用中。这种先进的TMOS E-FET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥接电路，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
商品特性
~~- 规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管专为桥接电路应用而设计-规定高温下的IDSS和VDS(ON)-短散热片引脚为制造而成 — 非剪切而成-专门设计的引线框架,实现最大功耗
应用领域
- 电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路