MTP16N25E
N沟道,电流:16A,耐压:250V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTP16N25E
- 商品编号
- C3276576
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款先进的TMOS增强型场效应管(E-FET)设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计,特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥接电路,并且能为意外的电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管特性适用于桥接电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥接电路