PMT200EPEA115
P沟道,电流:-2.4A,耐压:70V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMT200EPEA115
- 商品编号
- C3276553
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 167mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的中功率 SOT223 (SC-73) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路