TPIC1505DWR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
- 低导通电阻rDS(on):典型值0.25 Ω(完整H桥),典型值0.35 Ω(三个半H桥)
- 脉冲电流:每通道6 A(完整H桥),每通道4 A(三个半H桥)
- 匹配检测晶体管,适用于AB类线性工作
- 快速换相速度
应用领域
- 标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高等级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。