2SJ243(0)-T1-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 最低品质因数 RON × Qg
- 超低栅极电荷
- 极高 dv/dt 额定值
- 高尖峰电流能力
- 符合 JEDEC 工业级应用标准
- 无铅电镀；符合 RoHS 标准；无卤模塑料
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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