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MTB16N25E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MTB16N25E

MTB16N25E

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTB16N25E
商品编号
C3276526
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))250mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)2.18nF
反向传输电容(Crss)260pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)390pF

商品特性

-规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管专为桥接电路应用而设计-规定高温下的IDSS和VDS(ON)-短散热片引脚为制造而成 — 非剪切而成-专门设计的引线框架,实现最大功耗

应用领域

-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路

数据手册PDF