MMFT1N10ET1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 硅栅极实现快速开关速度
- 低 RDS(on) - 最大 0.25 Ω
- SOT - 223 封装可采用波峰焊或回流焊。成型引脚可在焊接过程中吸收热应力,消除芯片损坏的可能性
- 提供 12 mm 卷带包装
应用领域
-电源-直流-直流转换器-PWM 电机控制-桥接电路