MTP8N50E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品概述
CoolMOS 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE 是一个经过性价比优化的平台，能在满足最高效率标准的同时，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，且不影响易用性，还拥有市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥接电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥接电路