FDS8926
商品参数
参数完善中
商品概述
SO-8封装的N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门设计用于提供卓越的开关性能,并将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用,如磁盘驱动器电机控制、需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 5.5 A、30 V。在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.030 Ω
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 0.038 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极阈值(在2.5 V时完全增强)与30 V的高击穿电压相结合
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装中的双MOSFET
应用领域
-磁盘驱动器电机控制-电池供电电路