FDS8926
商品参数
参数完善中
商品概述
这款先进的 E-FET 是一款 TMOS 中功率 MOSFET，设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这款新型节能器件还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。该器件专为电源、直流 - 直流转换器和 PWM 电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥接电路，并且能为意外电压瞬变提供额外的安全余量。该器件采用 SOT - 223 封装，适用于中功率表面贴装应用。
商品特性
- 5.5 A、30 V。在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.030 Ω
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 0.038 Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 低栅极阈值(在2.5 V时完全增强)与30 V的高击穿电压相结合
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装中的双MOSFET
应用领域
-磁盘驱动器电机控制-电池供电电路