RQJ0201UGDQA#H1
P沟道,电流:3.4A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RQJ0201UGDQA#H1
- 商品编号
- C3276490
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 597pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低导通电阻
- RDS(导通) = 53 mΩ(典型值,VGS = -4.5 V,ID = -1.8 A)
- 低驱动电流
- 高速开关
- 2.5 V 栅极驱动
应用领域
- 便携式设备充电开关-直流-直流转换器-电池供电便携式设备的电源管理-硬盘和计算机电源管理
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