温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过 JEDEC 认证,无铅镀层,无卤素
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 硬开关脉宽调制(PWM)级
- 谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)