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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOSTM 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOSTM E6 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新成果。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且低温。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过 JEDEC 认证,无铅镀层,无卤素
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 硬开关脉宽调制(PWM)级
- 谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)