BSF050N03LQ3G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
-更高的额定电流-更低的漏源导通电阻(RDS(ON))-更低的电容-更低的总栅极电荷-更严格的VSD规格-规定了雪崩能量
应用领域
-开关模式电源-PWM电机控制-转换器-桥接电路