BSF050N03LQ3G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 针对高开关频率DC/DC转换器进行优化
- 100%雪崩测试
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
- 双面散热
- 与DirectFET封装SQ的焊盘尺寸和外形兼容
- 100%栅极电阻测试
- 低寄生电感
- 薄型(<0.7 mm)
应用领域
-服务器板载电源-高性能计算电源管理-同步整流-高功率密度负载点转换器