PMN30UN115
N通道,电流:5.7A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN30UN115
- 商品编号
- C3276451
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 635pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 超快开关速度
- 增强的功率耗散能力，达1240 mW
应用领域
- LED驱动器
- 电源管理
- 低端负载开关
- 开关电路