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2SK2111-T1-AY

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SK2111-T1-AY
商品编号: C3276461
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

HIP2060是一款功率半桥MOSFET阵列，由两个匹配的N沟道增强型MOS晶体管组成。该产品采用先进的英特矽尔PASIC2制程技术，利用高效的几何结构，可提供出色的器件性能和耐用性。 HIP2060旨在将两个功率器件集成在一个芯片中，从而为电机控制、不间断电源、开关电源、音圈电机和D类功率放大器等应用节省电路板布局面积和散热片。

商品特性

两个10A功率MOS N沟道晶体管
输出电压高达60V
当VGS = 15V时，每个晶体管的rDS(ON)最大为0.135Ω
当VGS = 10V时，每个晶体管的rDS(ON)最大为0.15Ω
脉冲电流：每个晶体管25A
雪崩能量：每个晶体管100mJ
接地散热片无需隔离散热片

应用领域

标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
高质量级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	1A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@4V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	2W
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	类型	N沟道