PMV48XP/MI215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 510mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 高端负载开关
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 开关电路