PMPB25ENEA115
20V, 单个N沟道, 漏源电压:20V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB25ENEA115
- 商品编号
- C3276440
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 2.1 kV静电放电(ESD)保护
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 镀锡侧焊盘,可100%进行光学焊锡检测
应用领域
-便携式设备充电开关-直流-直流转换器-电池供电便携式设备的电源管理-硬盘和计算机电源管理