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2SK1519-E

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SK1519-E
商品编号: C3276441
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这款先进的TMOS增强型场效应晶体管（E-FET）设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。

商品特性

规定雪崩能量
源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
二极管特性适用于桥式电路
规定高温下的IDSS和VDS（导通）
提供表面贴装封装，有16mm、13英寸/2500个单位的卷带包装，型号后缀加T4

应用领域

-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-安防系统-安全设备-非专门设计用于生命支持的医疗设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	450V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	150mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	200W
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	类型	N沟道