CLF1G0035S-100P

CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMLDM3757由互补硅N沟道和P沟道增强型MOSFET组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻rDS(ON)和低阈值电压。

• 高达1800V的静电放电（ESD）保护（人体模型）
• 350mW的功耗
• 极低的导通电阻rDS(ON)
• 低阈值电压
• 逻辑电平兼容
• 小型SOT - 563表面贴装封装

• 负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备