商品参数
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商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMLDM3757由互补硅N沟道和P沟道增强型MOSFET组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻rDS(ON)和低阈值电压。
商品特性
- 工作频率范围为直流至3.5 GHz
- 100 W通用宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管
- 出色的抗失配能力(电压驻波比 = 10:1)
- 高电压工作(50 V)
- 散热增强型封装
应用领域
-商用无线基础设施(蜂窝网络、WiMAX)-工业、科学、医疗领域-雷达-干扰器-宽带通用放大器-电磁兼容性测试-公共移动无线电