2SK3234-E
N沟道,电流:8A,耐压:500V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3234-E
- 商品编号
- C3276237
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、SOT226封装的标准电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 真正的标准电平栅极，在175°C时VGS(th)额定值大于1V
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备,以及非专门用于生命支持的医疗设备。