BSS119N H7796
1个N沟道 耐压:100V 电流:190mA
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS119N H7796
- 商品编号
- C3276245
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.5pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平(额定4.5V)
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅;符合RoHS标准;无卤素
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理