ITF86130SK8T
N沟道,电流:14A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ITF86130SK8T
- 商品编号
- C3276277
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 675pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、6凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 当VGS = 10V时,rDS(ON) = 0.0078 Ω
- 当VGS = 4.5V时,rDS(ON) = 0.010 Ω
- 当VGS = 4.0V时,rDS(ON) = 0.012 Ω
- 超低导通电阻
- 栅源保护二极管
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 瞬态热阻抗与电路板安装面积曲线
- 开关时间与RGS曲线
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路