3SK298ZP-TL-E
N沟道双栅极MOSFET,电流:25mA,耐压:12V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 3SK298ZP-TL-E
- 商品编号
- C3276399
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25mA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 改进的跨导
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准；无卤模塑料
- 针对目标应用通过JEDEC认证
应用领域
- “标准级”:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- “高品质级”:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。