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场效应管(MOSFET)
MTP4N40E
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MTP4N40E
N沟道,电流:4.0A,耐压:400V
SMT
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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTP4N40E
商品编号
C3276429
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
400V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
1.8Ω@10V
耗散功率(Pd)
74W
阈值电压(Vgs(th))
4V@250uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
13nC@10V
输入电容(Ciss)
616pF
反向传输电容(Crss)
19.6pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
100pF
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