MTP4N40E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 616pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 漏源导通电阻 = 14 mΩ，栅源电压 = 10 V，漏极电流 = 10.2 A
- 漏源导通电阻 = 17 mΩ，栅源电压 = 4.5 V，漏极电流 = 9.3 A
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器