2SJ350
P沟道MOSFET,电流:9A,耐压:120V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ350
- 商品编号
- C3276418
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
商品特性
- 高速开关
- 能够提供4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度安装
- 低导通电阻
- 典型导通电阻RDS(on) = 8.3 mΩ（VGS = 10 V时）
- 无铅
- 无卤素