DMP510DLW-7
1个P沟道 耐压:50V 电流:174mA
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP510DLW-7
- 商品编号
- C3276432
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 174mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 560pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 24.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.8pF |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
商品特性
- 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级
- 硬开关脉宽调制(PWM)级
- 谐振开关PWM级,例如用于个人电脑电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能领域
