BSL302SNL6327
N沟道,电流:7.1A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSL302SNL6327
- 商品编号
- C3276408
- 商品封装
- TSOP6-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@30uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 269pF |
商品概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低电压应用而设计，可替代双极性数字晶体管和小信号MOSFET。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.45 Ω
- 在VGS = 2.7 V时，RDS(ON) = 0.60 Ω
- 25 V，连续电流0.50 A，峰值电流1.5 A
- 极低的栅极驱动要求，允许在3 V电路中直接工作（VGS(th)<1.5 V）
- 具有栅源齐纳二极管，增强ESD耐受性（人体模型>6 kV）
- 采用紧凑的行业标准SC70-6表面贴装封装