IP165R660CFD
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@200uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时提供极快速且耐用的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的耐用性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。
商品特性
- 超快体二极管
- 极高的换相耐用性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
- 易于使用/驱动
- 根据JEDEC（J-STD20和JESD22）标准，适用于工业级应用
- 无铅镀层，采用无卤模塑料
应用领域
- 650V CoolMOS CFD2特别适用于谐振开关PWM级，例如用于PC电源、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。