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MTA30N06E实物图
  • MTA30N06E商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MTA30N06E

N沟道,电流:30A,耐压:60V

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商品型号
MTA30N06E
商品编号
C3276280
商品封装
TO-220​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)500pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.4nF

商品概述

这款先进的TMOS增强型场效应管(E-FET)旨在承受雪崩模式下的高能量,并能可靠运行。这款新型高能量器件还配备了恢复时间短的漏源二极管。该器件专为高速开关应用而设计,如开关电源、PWM电机控制和其他电感负载。规定了雪崩能量能力,以消除在切换电感负载的设计中的不确定性,并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。该器件采用完全隔离的TO - 220封装,其隔离电压额定值高达4500伏。

商品特性

-规定雪崩能量-栅极存储电荷低,开关效率高-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当

应用领域

-开关电源-PWM电机控制-其他电感负载-全桥或半桥PWM直流电机控制器

数据手册PDF