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MTD3N25E实物图
  • MTD3N25E商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MTD3N25E

N沟道,电流:3A,耐压:250V

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商品型号
MTD3N25E
商品编号
C3276393
商品封装
DPAK-3​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V
耗散功率(Pd)1.75W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)430pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)75pF

商品特性

  • 高输出功率:典型输出功率Pout = 39.5 dBm(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
  • 高功率附加效率:典型附加效率ηadd = 66%(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
  • 高线性增益:典型线性增益GL = 22 dB(VDS = 7.5 V,IDset = 200 mA,f = 460 MHz,Pin = 10 dBm)
  • 高静电放电耐受性:静电放电耐受性> 8 kV(IEC61000 - 4 - 2,接触放电)
  • 适用于甚高频至超高频频段的AB类功率放大器。

应用领域

  • 150 MHz频段无线电系统
  • 460 MHz频段无线电系统
  • 900 MHz频段无线电系统

数据手册PDF