MTB15N06VT4
MTB15N06VT4
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- 品牌名称
- MOTOROLA(摩托罗拉)
- 商品型号
- MTB15N06VT4
- 商品编号
- C3277062
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
TMOS V是一项新技术,旨在实现导通电阻面积积约为标准MOSFET的一半。这项新技术使我们50伏和60伏TMOS器件的当前单元密度提高了一倍多。与我们的TMOS E-FET设计一样,TMOS V旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。这些器件专为电源、转换器和电力电机控制中的低电压、高速开关应用而设计,特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥接电路,并能为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 采用新型低电压、低RDS(ON)技术,导通电阻面积积约为标准MOSFET的一半
- 比前代E-FET开关速度更快
- 规定了雪崩能量
- 规定了高温下的IDSS和 VDS(on)
- TMOS V和TMOS E-FET的静态参数相同
- 提供16 mm 13英寸/2500个单位的卷带封装,在零件编号后加T4后缀
应用领域
-电源-转换器-电力电机控制-桥接电路