2SK2736-E
N沟道MOSFET,电流:30A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2736-E
- 商品编号
- C3276283
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这款先进的TMOS功率场效应晶体管（FET）旨在承受雪崩模式下的高能量并实现高效开关。这款新型高能量器件还配备了一个栅极 - 源极齐纳二极管，用于4 kV静电放电（ESD）保护（人体模型）。
商品特性
- 具备ESD保护
- 4 kV人体模型
- 400 V机器模型
- 雪崩能量承受能力
- 内部源极 - 漏极二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器，可在雪崩模式下吸收高能量