MCH6601-TL-E
P沟道,电流:-0.2A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MCH6601-TL-E
- 商品编号
- C3276301
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.7pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对功率效率有较高要求的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 低导通电阻
- 超高速开关
- 1.5V驱动
- 复合类型,单个封装内包含2个MOSFET,便于高密度安装
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关
- 便携式和电池供电产品的电源管理