MTB60N05HDLT4
MTB60N05HDLT4
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTB60N05HDLT4
- 商品编号
- C3276388
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.07nF |
商品概述
D2PAK封装能够容纳比任何现有表面贴装封装更大的芯片,这使其可用于需要具有更高功率和更低RDS(导通)能力的表面贴装元件的应用中。这种先进的高单元密度HDTMOS功率场效应晶体管设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计,特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(导通)
- 散热片短接片为制造而成,非剪切而成
- 专门设计的引线框架,实现最大功率耗散
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥式电路