FS70UMJ-06F-REN
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- FS70UMJ-06F-REN
- 商品编号
- C3276302
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款先进的TMOS增强型场效应管（E-FET）旨在承受雪崩模式下的高能量，并能可靠运行。这款新型高能量器件还配备了恢复时间短的漏源二极管。该器件专为高速开关应用而设计，如开关电源、PWM电机控制和其他电感负载。规定了雪崩能量能力，以消除在切换电感负载的设计中的不确定性，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。该器件采用完全隔离的TO - 220封装，其隔离电压额定值高达4500伏。
商品特性
~~- 规定雪崩能量-栅极存储电荷低,开关效率高-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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