温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG65R048M1HXTMA1
650V CoolSiC M1 SiC沟槽功率器件
- 描述
- 采用英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R048M1HXTMA1
- 商品编号
- C3276336
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.118nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 168pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IMBG65R083M1HXTMA1
- DF23MR12W1M1B11BOMA1244
- IMBG65R260M1HXTMA1
- IMBG65R072M1HXTMA1
- FF3MR12KM1PHOSA1
- FF2MR12KM1PHOSA1
- DF11MR12W1M1PB11
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- F423MR12W1M1B76BPSA1
- FF6MR12W2M1B70BPSA1
- FF8MR12W2M1B11
- FS05MR12A6MA1BBPSA1
- FS03MR12A6MA1LB
- FS03MR12A6MA1BBPSA1
- AIMW120R060M1HXKSA1
- IMW65R083M1HXKSA1
- IMW65R039M1HXKSA1
- IMW65R057M1HXKSA1
- IMZ120R045M1XKSA1
- IMZA65R039M1HXKSA1
- IMBG120R090M1HXTMA1