PMZB150UNE315
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 760mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 93pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1006B - 3（SOT883B）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 开关速度极快
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护：2 kV HBM
- 封装厚度仅0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路