PMN70XP115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT457(SC-74)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
-沟槽MOSFET技术-低阈值电压-极快的开关速度-增强的功率耗散能力,达1240 mW
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路