2SK2596BXTL-E
N沟道,电流:0.4A,耐压:17V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2596BXTL-E
- 商品编号
- C3276343
- 商品封装
- UPAK-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 17V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 工作温度 | -45℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |

