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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 275pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
SuperFET MOSFET是第一代高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适合用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的NVD前缀;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些是无铅器件
应用领域
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥式电路