商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V;1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款87 W非对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为需要极宽瞬时带宽能力、覆盖2110至2200 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 先进的高性能封装内Doherty技术
- 专为宽瞬时带宽应用设计
- 更大的负栅源电压范围,改善C类工作状态
- 能够承受极高的输出电压驻波比(VSWR)和宽带工作条件
- 专为数字预失真误差校正系统设计
应用领域
-蜂窝基站


